Такой подход, получивший название Centura Integrated Gate Stack, позволяет ускорить прохождение заряженных частиц через транзистор на 10%. Это в конечном счёте приводит к более быстрой работе микропроцессора или графического чипа с таким транзистором, а также к экономии энергии.
Поскольку от диэлектрика зависит способность транзистора контролировать прохождение электронов, а толщина этого слоя составляет всего 2Pнм, инженеры предложили поатомное распределение материала. В целях защиты изделия от посторонних включений, которые содержатся в воздухе, процедура проводится в вакуумной камере.
Рис. 1.PОборудование для производства нанотранзисторов нового поколения. (Фото Applied Materials).
Нанотранзистор, сконструированный специалистами Applied Materials, состоит из трёх слоёв: кремниевой основы, проводящего слоя диоксида кремния и изолирующего слоя оксида гафния, содержащего атомыPазота.
В американской компании Applied Materials научились наносить слои диэлектрика толщиной в один атом каждый, чтобы получался 22-нанометровый чип с транзистором.
Опубликовано ssu-filippov в 15 июля, 2011 - 00:39
» Представлена новая технология производства нанотранзисторов
Представлена новая технология производства нанотранзисторов | Нанотехнологии Nanonewsnet
Комментариев нет:
Отправить комментарий